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Saphir ist die einzige Kristallform der Verbindung Aluminiumoxid und es ist das zweit härteste Material in der Natur nach Diamant. Saphir bietet optische Transparenz, körperliche Festigkeit, Schlagfestigkeit, Abrieb und Korrosion, hohe Druck-und Temperaturbeständigkeit, Biokompatibilität und ist in der Lage, für eine Vielzahl von Anwendungen in nahezu jede Form geformt zu werden. Es ist ein ideales Ausgangsmaterial für die Ablagerung von Halbleitermaterialien zur Herstellung optischer und elektronischer Geräte.
Die elektrischen und materiellen Eigenschaften von Saphir machen es zum vorherrschenden Grundmaterial, auf dem weiße und blaue LEDs und Saphir hergestellt werden. es ist auch das Grund Substratmaterial für die Herstellung von Silizium-on-Sapphire
RFICs.
Sapphire properties |
Benefits |
Resistant to high temperatures |
Does not melt at the temperature below 2050°C. Retains purity in high-temperature environments |
Rigid and durable |
Resistant to scratching by a majority of materials Resistant to high pressure Enduring |
Chemically inert, insoluble in the majority of conventional industrial solutions and corrosion-resistant |
Can be used in aggressive environment Easily washed Long-life performance Possess high purity In some environments operating life of sapphire up to 5 times more than of quartz |
Wide transmittance spectrum in UV, visible IR and microwave ranges |
Continuous and stable transmittance of infra-red rays Outstanding light transmittance at 0.25 – 4.50 μm |
High thermal conductivity |
Enables rapid heating and cooling |
Sapphire characteristics:
General |
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Chemical formula: |
Al2O3 |
Growing method: |
Kyropoulos, Stepanov (EFG) |
Structure: |
hexagonal |
a = b = 4.77 A |
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c = 13.04 A |
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Thermal |
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Melting temperature: |
2040 °C |
Linear expansion coefficient: |
6.7 x 10-6 / °C parallel to С axis |
5.0 x 10-6 / °C perpendicular to С axis |
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Thermal conductivity: |
46.06 W/m °K (0°C) |
Mechanical |
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Density: |
3.98 g/cm3 |
Hardness: |
Mohs: 9 |
Knoop: 1800 daN/mm2 parallel to С axis |
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2200 daN/mm2 perpendicular to С axis |
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Tensile strength: |
400 MPa/mm2 (25°C) 275 MPa/mm2 (500°C) 345 MPa/mm2 (1000°C) |
Flexural strength: |
35 to 39 daN/mm2 |
Compression stress: |
2.0 GPa |
Young's modulus |
3.6 x 104 to 4.4 x 104 daN/mm2 |
Electric |
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Dielectric permeability: |
9.3 (103 - 109 Hz, 25°C) perpendicular to С axis |
11.5 (1033 - 109 Hz, 25°C) parallel to С axis |
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Specific resistivity: |
1016 Ω/cm (25°C) |
1011 Ω/cm (500°C) |
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106 Ω/cm (1000°C) |